PHOTO SENSOR
Thông tin kỹ thuật:
Loại: NPN, phản xạ retro
Khoảng cách cảm biến: 1m
Mục tiêu cảm biến: Ø25mm (mờ đục)
Thời gian phản ứng: 1.5ms
Nguông điện cung cấp: 12-24V DC ±10%
Mức tiêu thụ hiện tại: 35mA
Nguồn sáng: LED hồng ngoại
Điều khiển đầu ra: Điện áp đầu ra NPN, Điện áp tải: 30V DC, Tải dòng: 200mA, Điện áp dư: 1V
Phương thức hoạt động: bởi dây điều khiển, Light ON/ Dark ON
Chỉ báo hoạt động: Red LED, chỉ báo ổn đinh: Green LED
Mạch bảo vệ: Tích hợp bảo vệ mạch từ đảo ngược kết nối cung cấp điện, đầu ra ngắn mạch quá dòng bảo vệ mạch
Nhiệt độ hoạt động xung quanh: hoạt động: -10~60°C, bảo quản: -25~70°C
Độ ẩm môi trường xung quanh: 35~85%RH
Ánh sáng môi trường xung quanh: Ánh sáng mặt trời: thấp hơn 10000 lux, Đèn sợi đốt: thấp hơn 3000 lux
Kết cấu bảo vệ: IP66 (IEC)
Chống rung: 10~55Hz (chu kỳ 1 phút) biên độ kép 1.5mm, mỗi hướng X, Y, Z trong 2h
Chống sốc: 500m/s², mỗi hướng X, Y, Z 3 lần
Độ bền điện môi: 500V AC (50/60Hz cho 1 phút)
Điện trở cách điện: 20MΩ (500V DC)
Phương thức kết nối: loại mở rộng 2m, 4P
Kích thước:
